[实用新型]一种PVT法SiC单晶生长坩埚有效
| 申请号： | 201821146964.7 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN209082038U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;高超;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种PVT法SiC单晶生长坩埚，属于单晶硅生长设备技术领域。一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括底部封闭的圆筒状的坩埚体，其特征是：所述坩埚体的筒侧壁自坩埚体的底部向下延伸形成内部中空的底端坩埚体。本实用新型结构设计独特，在采用中频感应器加热时，可使得坩埚底部以下的部分也感应中频发热，使得温场形状发生变化，坩埚中高温区下移至底部，在生长晶体时，可使气相组分运输孔道不再碳化塌陷，气相组分不再经过碳化区，从而解决了晶体中出现大量包裹物的问题，能够大大提高晶体生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚体 单晶生长坩埚 本实用新型 坩埚 设备技术领域 单晶硅生长 中频感应器 底部封闭 晶体生长 内部中空 向下延伸 包裹物 碳化区 筒侧壁 圆筒状 中高温 底端 孔道 碳化 温场 下移 加热 发热 塌陷 生长 运输 | ||
【主权项】：
1.一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括底部封闭的圆筒状的坩埚体（1），其特征是：所述坩埚体（1）的筒侧壁自坩埚体的底部向下延伸形成内部中空的底端坩埚体（3）；所述底端坩埚体（3）内填充有导热材料（4）。
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