[实用新型]一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201821104745.2 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN208938998U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片，包括n型半导体层、锥形坑准备层、有源层、p型半导体层、p型电极、反射层、键合层、n型电极、基板；其中：锥形坑准备层位于n型半导体层之上，有源层位于锥形坑准备层之上，p型半导体层位于有源层之上，n型半导体层上形成有n型电极，p型半导体层上形成有p型电极，p型电极和基板之间依序形成有反射层和键合层，所述有源层中形成六方多面结构的锥形坑。本实用新型的优点在于：通过在有源层中形成六方多面的锥形坑，改变有源层中TM模偏振光的出光方向，使TM模偏振光不需在接近有源层附近进行长路径传播，进而提高深紫外发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 锥形坑 深紫外发光二极管 光提取效率 偏振光 本实用新型 反射层 键合层 基板 芯片 多面结构 长路径 传播 | ||
【主权项】：
1.一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片，包括n型半导体层(2)、锥形坑准备层(3)、有源层(4)、p型半导体层(5)、p型电极(6)、反射层(7)、键合层(8)、n型电极(9)、基板(10)；其特征在于：锥形坑准备层(3)位于n型半导体层(2)之上，有源层(4)位于锥形坑准备层(3)之上，p型半导体层(5)位于有源层(4)之上，n型半导体层(2)上形成有n型电极(9)，p型半导体层(5)上形成有p型电极(6)，p型电极(6)和基板(10)之间依序形成有反射层(7)和键合层(8)，所述有源层(4)中形成六方多面结构的锥形坑，且连接所述锥形坑的平台区的投影面积与整个有源层(4)的投影面积的比值小于30％。
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