[实用新型]一种紫外发光二极管芯片的外延结构

摘要

本实用新型公开了一种紫外发光二极管芯片的外延结构，包括衬底以及位于衬底上的AlN缓冲层、非掺杂AlN层、超晶格层、发光层、电子阻挡层、空穴导电层；其中：所述超晶格层为nAl_xGa_1‑xN层和Al_yGa_1‑yN层周期性交替堆叠形成。本实用新型的优点在于：通过采用nAl_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN超晶格层代替传统的单层nAlGaN层，从而将电子导电的传输通道横向分割成为高电导率的nAl_xGa_1‑xN层和低电导率的Al_yGa_1‑yN层，并在nAl_xGa_1‑xN层中创造高电子密度的二维电子气（使nAl_xGa_1‑xN层的带隙宽度小于Al_yGa_1‑yN层）。

主权项

1.一种紫外发光二极管芯片的外延结构，包括衬底(101)以及位于衬底(101)上的AlN缓冲层(102)、非掺杂AlN层(103)、超晶格层(104)、MQW发光层(105)、电子阻挡层(106)、空穴导电层(107)；其特征在于：所述超晶格层(104)为nAlxGa1‑xN层(1041)和AlyGa1‑yN层(1042)周期性交替堆叠形成。