[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201820962326.6 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208298832U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;陶谦;汤召辉;唐志武;黄海辉;黄竹青;王家友;蒲浩;潘国卫;闵源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。本实用新型提供的三维存储器由于具有沿沟道孔的径向向外的方向突出于沟道层的漏极，所以其导电接触孔与漏极之间发生错位的概率较低，在生产过程中能够具有较好的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 沟道层 沟道 三维存储器 堆叠层 衬底 本实用新型 径向向外 导电接触孔 方向间隔 生产过程 栅极层 良率 垂直 错位 穿过 概率 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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