[实用新型]一种湿敏晶体管传感器有效
| 申请号： | 201820959934.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208270479U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 | 申请（专利权）人： | 季优科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 邓文武 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿敏晶体管传感器，其中，晶体管传感器包括高掺硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部，所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层，所述二氧化硅层上设有源极和漏极，所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧，所述高掺硅层上设有栅极。本实用新型的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩，利用MoS2独特的电子性质，起到很好的气体吸附的性能，对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管传感器 二氧化硅层 硅层 本实用新型 二硫化钼层 漏极 源极 电子性质 工艺兼容 气体吸附 微纳加工 传统的 灵敏度 上端 水气 压缩 | ||
【主权项】：
1.一种湿敏晶体管传感器，其特征在于：包括高掺硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部，所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层，所述二氧化硅层上设有源极和漏极，所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧，所述高掺硅层上设有栅极。
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