[实用新型]一种湿敏晶体管传感器

说明书

本实用新型公开了一种湿敏晶体管传感器，其中，晶体管传感器包括高掺硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部，所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层，所述二氧化硅层上设有源极和漏极，所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧，所述高掺硅层上设有栅极。本实用新型的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩，利用MoS2独特的电子性质，起到很好的气体吸附的性能，对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。

技术领域

本实用新型涉及微电子领域，具体涉及一种湿敏晶体管传感器。

背景技术

湿度传感器的核心元件是在其用感湿材料制成的薄膜，当空气中的水蒸气吸附在感湿膜上时，元件的电学信号都发生变化，利用这一特性即可测量湿度。湿度传感器的主要原理是在环境中通过湿敏材料在不同湿度下的电导变化，从而反映出相应的气体变化量。基于微纳加工工艺的高速发展下，各种器件尺寸的不断集成化，微型化，而传统的传感器因为其本身材料的限制，在产品持续微型化、灵敏度、稳定性、相应速度等方面得到的改善越来越小，已经不能适应科技进步的要求。因此，需对现有技术加以改进。

实用新型内容

为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种湿敏晶体管传感器，其灵敏度、稳定性和响应范围等性能都有巨大的改善。

本实用新型提供了一种湿敏晶体管传感器，包括高掺硅层和二氧化硅层(SiO2)，所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部，所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层(MoS2)，所述二氧化硅层上设有源极和漏极，所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧，所述高掺硅层上设有栅极。

相对于现有技术而言，本实用新型的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩，利用MoS2独特的电子性质，起到很好的气体吸附的性能，对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。

进一步的改进在于，所述二氧化硅层的厚度为300nm。对于晶体管传感器的尺寸进行的高度的压缩。

进一步的改进在于，所述二硫化钼层的厚度为0.6nm。同样比传统的传感器尺寸减少很多。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的一种湿敏晶体管传感器的结构示意图。

说明书中的附图标记具体如下；

高掺硅层1；二氧化硅层2；二硫化钼层3；源极4；漏极5；栅极6。

具体实施方式

为了使实用新型实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，以下结合附图，进一步阐述本实用新型。

本实用新型的实施例公开了一种湿敏晶体管传感器，如图1所示，包括高掺硅层1和二氧化硅层2(SiO2)，二氧化硅层2设于所述高掺硅层1的上部，二氧化硅层2的厚度优选为300nm，二硫化钼层3的厚度优选为0.6nm，二氧化硅层2的上端设有二硫化钼层3(MoS2)，二氧化硅层2上设有源极4和漏极5，源极4与漏极5分别位于二硫化钼层3的两相对侧，高掺硅层1上设有栅极6。

该湿敏晶体管传感器的检测方法，包括以下步骤：

S1：将晶体管传感器置于探针台上，分别用探针接触相应的源极4、漏极5、栅极6；

S2：二硫化硅层在不同的外界环境下进行基本的测试，再通过探针台对不同湿度下的所述晶体管传感器进行包括输出曲线及电学曲线的测试；

S3：通过测试中各种湿度环境下电学信号的采集，形成特定湿度与特定电学信号的一一对应关系。