[实用新型]一种图形化外延结构激光剥离装置有效
申请号: | 201820942009.8 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN208538816U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 何小峰;李成明;何秀平;陈建锋 | 申请(专利权)人: | 南通中铁华宇电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙腾 |
地址: | 226500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种图形化外延结构激光剥离装置,它包括基片、整型结构、透射率调整结构、图形化外延结构、气体传输系统、紫外光源、剥离室以及进光窗口,剥离室两侧分别设计有气体传输系统,剥离室上面设计有进光窗口,紫外光源设计在进光窗口外侧上方,图形化外延结构设计在剥离室内,图形化外延结构上设计有一层基片,图形化外延结构包括外延结构、蓝宝石衬底、图形化结构、斜界面、平界面,外延结构上面均匀设计有若干个图形化结构,图形化结构是由两个斜界面形成的V型槽状结构,相邻两个图形化结构之间通过平界面相连。优点是设计巧妙,操作方便,实现图形化衬底剥离,提高剥离良率。 | ||
搜索关键词: | 外延结构 图形化 图形化结构 剥离室 激光剥离装置 气体传输系统 紫外光源 平界面 剥离 本实用新型 蓝宝石 衬底剥离 调整结构 均匀设计 整型结构 透射率 斜界面 衬底 良率 面形 室内 | ||
【主权项】:
1.一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,它包括基片(1)、整形结构(2)、透射率调整结构(3)、图形化外延结构(4)、气体传输系统(5)、紫外光源(6)、剥离室(7)以及进光窗口(8),剥离室两侧分别设计有气体传输系统,剥离室上面设计有进光窗口,紫外光源设计在进光窗口外侧上方,图形化外延结构设计在剥离室内,图形化外延结构上设计有一层基片,图形化外延结构包括外延结构(40)、蓝宝石衬底(41)、图形化结构(42)、斜界面(43)、平界面(44),外延结构上面均匀设计有若干个图形化结构,图形化结构是由两个斜界面形成的V型槽状结构,相邻两个图形化结构之间通过平界面相连,外延结构上面设计有蓝宝石衬底且蓝宝石衬底位于图形化结构、斜界面、平界面上方,基片位于蓝宝石衬底上面,基片上面设计有若干个整形机构,整形机构与图形化结构一一对应设计,相邻的整形机构之间设计有透射率调整结构且透射率调整结构位于基片上面,进光窗口位于整形机构和透射率调整结构上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造