[实用新型]一种图形化外延结构激光剥离装置有效
申请号: | 201820942009.8 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN208538816U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 何小峰;李成明;何秀平;陈建锋 | 申请(专利权)人: | 南通中铁华宇电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙腾 |
地址: | 226500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延结构 图形化 图形化结构 剥离室 激光剥离装置 气体传输系统 紫外光源 平界面 剥离 本实用新型 蓝宝石 衬底剥离 调整结构 均匀设计 整型结构 透射率 斜界面 衬底 良率 面形 室内 | ||
1.一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,它包括基片(1)、整形结构(2)、透射率调整结构(3)、图形化外延结构(4)、气体传输系统(5)、紫外光源(6)、剥离室(7)以及进光窗口(8),剥离室两侧分别设计有气体传输系统,剥离室上面设计有进光窗口,紫外光源设计在进光窗口外侧上方,图形化外延结构设计在剥离室内,图形化外延结构上设计有一层基片,图形化外延结构包括外延结构(40)、蓝宝石衬底(41)、图形化结构(42)、斜界面(43)、平界面(44),外延结构上面均匀设计有若干个图形化结构,图形化结构是由两个斜界面形成的V型槽状结构,相邻两个图形化结构之间通过平界面相连,外延结构上面设计有蓝宝石衬底且蓝宝石衬底位于图形化结构、斜界面、平界面上方,基片位于蓝宝石衬底上面,基片上面设计有若干个整形机构,整形机构与图形化结构一一对应设计,相邻的整形机构之间设计有透射率调整结构且透射率调整结构位于基片上面,进光窗口位于整形机构和透射率调整结构上方。
2.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的气体传输系统(5)包括进气管(51)、排气管(52),剥离室上方两侧角位置分别安装有一个进气管(51),剥离室两侧壁中间偏下位置分别安装有一个排气管(52)。
3.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的基片(1)为紫外光源激射激光波长透明材料,为蓝宝石、石英或氟化钙的宽带隙材料一种。
4.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的透射率调整结构(3)与整形结构(2)的边缘处相接触安装,且在整形结构(2)周边形成过渡光场;所述的透射率调整结构(3)为高反射介质膜或多层膜任意结构;透射率调整结构根据需要调整反射率,为蓝宝石或氟化钙材料。
5.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,图形化结构(42)可以由金属有机化学气相沉积(MOCVD)的LED结构组成,也可以由分子束外延的LD材料结构组成,衬底是蓝宝石衬底(41),为图形化衬底(PSS),外延结构(40)的材料可以为单晶材料,也可以为多层复合外延材料,其厚度最少应为1微米。
6.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的紫外光源(6)是准分子激光器或全固态激光器;紫外光源(6)为脉冲激光器或连续激光器,紫外光源(6)为单波长或多波长;紫外光源(6)的光斑尺寸应为100nm到1mm之间。
7.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的整形结构(2)为凸透镜、凹透镜或者菲涅耳透镜结构;所述整形结构(2)尺寸应为对应发光波长的五分之一以上。
8.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述图形化结构为蓝宝石图形化结构,其尺寸及周期均应大于发光波长三分之一或100nm以上。
9.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述的蓝宝石衬底是图形化衬底结构,可以为外延面单面图形化衬底结构,也可以两面均为图形化结构。
10.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置,其特征在于,所述蓝宝石衬底(41)的上面还设计有背面图形化结构(45);根据需要对光调制或补偿,背面图形化结构(45)与图形化结构(42)形状设计为相同或不同,尺寸相同或不同;所述的透射率调整结构(3)中间设计有空心结构,空心结构是圆形、椭圆形或三角形的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造