[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型提供半导体器件。一个实施方式的半导体器件具有：半导体衬底，其具有第一面、作为第一面的相反面的第二面；第一布线及第二布线，其配置在第一面之上；第一导电膜，其与第一布线电连接；和栅极电极。半导体衬底具有源极区域、漏极区域、漂移区域、体区域。漂移区域配置成在俯视时包围体区域。第一布线配置成在俯视时跨过漂移区域与体区域的边界，并且具有与漂移区域电连接的第一部分。第二布线与源极区域电连接。第一导电膜与第二布线绝缘且与该第二布线相对置。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有第一面、作为所述第一面的相反面的第二面；第一布线及第二布线，其配置在所述第一面之上；第一导电膜，其与所述第一布线电连接；和栅极电极，所述半导体衬底具有位于所述第一面的第一导电型的源极区域、位于所述第二面的所述第一导电型的漏极区域、位于所述漏极区域之上的所述第一导电型的漂移区域、和夹在所述源极区域与所述漂移区域之间的第二导电型的体区域，所述第二导电型为与所述第一导电型相反的导电型，所述漂移区域配置成在俯视时包围所述体区域，所述第一布线配置成在俯视时跨过所述漂移区域与所述体区域的边界，并且具有与所述漂移区域电连接的第一部分，所述栅极电极与夹在所述源极区域与所述漂移区域之间的所述体区域绝缘且与所述体区域相对置，所述第二布线与所述源极区域电连接，所述第一导电膜与所述第二布线绝缘且与所述第二布线相对置。