[实用新型]一种像素结构有效

专利信息
申请号: 201820922338.6 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN208208760U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 于靖;庄崇营;李林 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种像素结构,包括共用数据线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一补偿层和第二补偿层;第一像素单元的漏极靠近第一补偿层一端的设计端线与第一补偿层的设计端线交接;第二像素单元的漏极靠近第二补偿层一端的设计端线与第二补偿层的设计端线交接;第一薄膜晶体管的漏极靠近第一补偿层一端的线宽等于其靠近第一薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍,第二薄膜晶体管的漏极靠近第二补偿层一端的线宽等于其靠近第二薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍。本实用新型提供的像素结构在不出现制作偏差的情况下,寄生电容最小化,在出现制作偏差的情况下,保证了共用数据线的左右两侧的寄生电容的相等,有效保证了显示效果。
搜索关键词: 补偿层 薄膜晶体管 端线 漏极 线宽 像素结构 本实用新型 共用数据线 像素单元 交接 寄生电容最小化 寄生电容 显示效果 左右两侧 相等 制作 保证
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括共用数据线、分别设于所述共用数据线两侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、与所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接的第一补偿层和与所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接的第二补偿层;所述第一薄膜晶体管的漏极靠近所述第一补偿层一端的设计端线与所述第一补偿层的设计端线交接;所述第二薄膜晶体管的漏极靠近所述第二补偿层一端的设计端线与所述第二补偿层的设计端线交接;所述第一薄膜晶体管的漏极靠近所述第一补偿层一端的线宽等于其靠近第一薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍,所述第二薄膜晶体管的漏极靠近所述第二补偿层一端的线宽等于其靠近第二薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍。
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