[实用新型]一种具有不同透光率的光刻版有效
申请号: | 201820799174.2 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN208224712U | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 黄飞;齐胜利 | 申请(专利权)人: | 盐城东紫光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/48;G03F1/46 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 224000 江苏省盐城市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种具有不同透光率的光刻版,所述光刻版包括:基板;形成于所述基板上表面的掩膜层,其中,所述掩膜层包括若干厚度不同的掩膜区域;以及形成于所述掩膜层上表面的保护层。通过本实用新型提供的所述具有不同透光率的光刻版,解决了现有光刻版需通过多次光刻才能得到具有不同深度的光刻图形,造成制造工序复杂、制造成本过高的问题。 | ||
搜索关键词: | 光刻版 透光率 掩膜层 光刻 本实用新型 基板上表面 光刻图形 掩膜区域 制造成本 制造工序 保护层 上表面 基板 | ||
【主权项】:
1.一种具有不同透光率的光刻版,其特征在于,所述光刻版包括:基板;形成于所述基板上表面的掩膜层,其中,所述掩膜层包括若干厚度不同的掩膜区域;以及形成于所述掩膜层上表面的保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城东紫光电科技有限公司,未经盐城东紫光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820799174.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种掩膜版组件
- 下一篇:一种气浮装置、工件台和光刻机
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备