[实用新型]一种方形复合式壳型电极半导体探测器有效
| 申请号： | 201820477209.0 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN208077991U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李正;刘曼文 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人： | 周跃仁 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种方形复合式壳型电极半导体探测器，包括正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极，其中正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极由半导体基体通过刻蚀、扩散掺杂的方法制备形成，正面沟槽电极和反面沟槽电极环绕于中央柱状电极之外，其中，正面沟槽电极和反面沟槽电极为矩形中空电极；正面沟槽电极刻蚀成结构相同，且结构上互为互补的两半，在正面沟槽电极间没有刻蚀的部分形成斜纹状半导体基体，且斜纹状半导体基体宽度小于10μm；正面沟槽电极和中央柱状电极上覆盖有电极接触层，正面未覆盖电极接触层的其他半导体基体表面覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 正面沟槽 中央柱 半导体基体 沟槽电极 刻蚀 半导体探测器 复合式 斜纹状 壳型 半导体基体表面 二氧化硅绝缘层 电极接触层 二氧化硅 覆盖电极 矩形中空 扩散掺杂 衬底层 接触层 底面 覆盖 制备 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种方形复合式壳型电极半导体探测器，其特征在于，包括正面沟槽电极(2)、反面沟槽电极(5)和中央柱状电极(3)，其中正面沟槽电极(2)、反面沟槽电极(5)和中央柱状电极(3)由半导体基体(1)通过刻蚀、扩散掺杂的方法制备形成，正面沟槽电极(2)和反面沟槽电极(5)环绕于中央柱状电极(3)之外，其中，正面沟槽电极(2)和反面沟槽电极(5)为矩形中空电极；正面沟槽电极(2)刻蚀成结构相同，且结构上互为互补的两半，在正面沟槽电极(2)间没有刻蚀的部分形成斜纹状半导体基体(4)，且斜纹状半导体基体(4)宽度小于10μm；正面沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)上覆盖有电极接触层，正面未覆盖电极接触层的其他半导体基体(1)表面覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
