[实用新型]低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型公开了一种低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底上设有第二导电类型外延，第二导电类型外延上设有第一导电类型埋层，第二导电类型外延上设有第一导电类型高阻外延，第一导电类型高阻外延上设有沟槽，沟槽将第一导电类型高阻外延和第二导电类型外延构成的整体结构分成第一区域、第二区域、第三区域，第一区域和第三区域上设有第二导电类型注入区Ⅰ，第二区域上设有第一导电类型注入区和第二导电类型注入区Ⅱ。本实用新型采用纵向SCR和横向二极管结合的结构，同时兼顾了低电容、低残压、低触发电压、面积小以及ESD和浪涌防护能力强的特点，能够很好的满足IC芯片对保护器件的需求。

主权项

1.一种低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器，其特征在于：包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底上表面设有第二导电类型外延，第二导电类型外延上表面两侧设有第一导电类型埋层，第二导电类型外延上表面设有第一导电类型高阻外延且第一导电类型高阻外延覆盖第一导电类型埋层，第一导电类型高阻外延上设有若干纵向贯穿第一导电类型高阻外延和第二导电类型外延的沟槽，沟槽中填充氧化层，所述沟槽将第一导电类型高阻外延和第二导电类型外延构成的整体结构从左至右分成三个区域，并记为第一区域、第二区域、第三区域，第一导电类型高阻外延上表面位于第一区域和第三区域的位置处设有第二导电类型注入区Ⅰ，第一导电类型高阻外延上表面位于第二区域的位置处设有第一导电类型注入区和第二导电类型注入区Ⅱ。