[实用新型]一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件有效
| 申请号： | 201820385368.8 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN207938608U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;郑亦菲;董鹏;骆生辉;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湖南静芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410199 湖南省长沙市经济*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底内设有P阱和N型深阱；P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第二Poly注入层跨接在P阱和N型深阱之间，N型深阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二Poly注入层连接在一起作为器件的阴极；所述第三P+注入区和第四N+注入区连接在一起作为器件的阳极。本实用新型的可控硅静电防护器件在其栅极嵌入悬浮P+层，可在降低器件触发电压的同时增强器件维持电压，且不改变器件面积，可使用标准工艺与被保护电路片上集成。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 注入层 可控硅静电防护器件 嵌入 本实用新型 衬底 小岛 阴极 标准工艺 触发电压 改变器件 降低器件 维持电压 阳极 电路片 跨接 悬浮 | ||
【主权项】：
1.一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；P型衬底内从左至右设有P阱和N型深阱；所述P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第二Poly注入层跨接在P阱和N型深阱之间，N型深阱内从左到右依次设有第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二Poly注入层连接在一起作为器件的阴极；所述第三P+注入区和第四N+注入区连接在一起作为器件的阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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