[实用新型]一种芯片保护环

摘要

本实用新型涉及一种基于深亚微米CMOS工艺的低成本片上芯片保护环，所述芯片保护环包括设置在衬底之上的多层金属层、通孔层和插塞层；以及设置在衬底之内的N阱层、N型注入区层和有源区层，所述N阱层的宽度即为芯片保护环的宽度。本实用新型的有益效果在于把芯片保护环的每边宽度降低到3‑4微米，在不影响芯片性能的前提下减小了芯片面积，提高了芯片产品的市场竞争力。

主权项

1.一种芯片保护环，所述芯片保护环从上到下包括设置在衬底上的间隔层叠分布的至少两层金属层、设置在金属层之间的至少一层通孔层和设置在最底部的金属层下方的插塞层；以及设置在衬底之内的N阱层、N型注入区层和有源区层；其中所述至少一层通孔层与所述至少两层金属层互连；其中所述插塞层从最底部的金属层下表面延伸到所述衬底上表面；其中所述N阱层从所述衬底上表面延伸到所述衬底之内的第一深度；其中所述N型注入区层从所述衬底上表面延伸到所述N阱层之内的第二深度；其中所述有源区层从所述衬底上表面延伸到所述N型注入区层之内的第三深度；其中所述第一深度大于第二深度，且所述第二深度大于第三深度；以及其中所述插塞层的下表面直接接触所述有源区层的上表面。