[实用新型]一种光电探测器有效
申请号: | 201820146079.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN207781619U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 郭康;徐威;谷新;王维;张笑 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/102;H01L31/113 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种光电探测器,与现有的光电探测器相比,增加了位于光吸收层入光侧的第一光学滤光层和光谱转化层,以及位于光吸收层背面的第二光学滤光层。其实现的具体原理如下:光入射第一光学滤光层后,只允许第二波长范围内的光透光,这部分光经过光谱转化层后转化为第一波长范围内的光,经过转化的第一波长范围内的光在第一光学滤光层和第二光学滤光层之间被反复反射,无法出去,不断的被光吸收层吸收,从而可明显增大吸收层的光吸收率。并且具有带宽大的优点,因此可以在不需要增加光吸收层的厚度的基础上,明显提高光电探测器的响应度。 | ||
搜索关键词: | 光学滤光层 光电探测器 光吸收层 波长 转化层 光谱 本实用新型 光吸收率 光入射 吸收层 响应度 透光 反射 转化 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种光电探测器,包括:光吸收层和电极,其特征在于,还包括:位于所述光吸收层入光侧的第一光学滤光层,位于所述光吸收层与所述第一光学滤光层之间的光谱转化层,以及位于所述光吸收层背离所述光谱转化层一侧的第二光学滤波层;所述第一光学滤光层、所述光谱转化层以及所述第二光学滤光层三者在所述光吸收层上的正投影具有重叠部分;所述光谱转化层用于将透过所述第一光学滤光层的光转化为第一波长范围内的光;所述第一光学滤光层用于使入射光中的第二波长范围内的光透光,且用于阻止所述第一波长范围内的光通过;所述第二波长范围与所述第一波长范围不重叠;所述第二光学滤光层用于阻止所述第一波长范围内的光通过。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820146079.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于光伏组件增效的复合材料
- 下一篇:单面湿法黑硅硅片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的