[实用新型]一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201820126685.8 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207834308U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;章红科;宁洪龙;郑泽科;李晓庆;张啸尘;蔡炜;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。本实用新型的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏电极 栅极绝缘层 透明薄膜晶体管 薄膜晶体管 本实用新型 半导体层 层堆叠 修饰层 全铝 半导体 接触电阻率 漏电 高透光性 依次层叠 透明 最内层 衬底 薄膜 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。
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