[发明专利]一种阻变存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811645090.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109728163B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;项金娟;刘卫兵;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，通过提供基底，在基底上形成有金属栓塞作为下电极，在下电极上形成阻变功能层、上电极层和互连金属层，根据金属栓塞的位置，对互连金属层、上电极层、阻变功能层进行刻蚀，以使互连金属层、上电极层、阻变功能层和金属栓塞对准。由于本申请实施例中，互连金属层、上电极层和阻变功能层是一次性刻蚀的，因此可以实现这三个膜层的自对准，在技术上来说，即使这三个膜层的面积大于金属栓塞的面积，也不影响器件的实现，因此相比于现有技术中在上电极层上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀，形成与金属栓塞对准的通孔，并在通孔中形成互连金属层来说，对准要求更低，因此提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有金属栓塞作为下电极；在所述下电极上依次形成阻变功能层、上电极层和互连金属层；根据所述金属栓塞的位置，一次性对所述互连金属层、所述上电极层、所述阻变功能层进行刻蚀，以使所述互连金属层、所述上电极层、所述阻变功能层和所述金属栓塞对准。
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