[发明专利]一种带保护电路的蓝光垂直结构LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811641515.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109742199A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 田进;田伟;刘波波;张迪;柴悦 | 申请（专利权）人： | 中联西北工程设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/32;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710077 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种带保护电路的蓝光垂直结构LED芯片及其制备方法，在单个芯片上隔离出部分外延层，使用平面工艺刻蚀掉保护电路的一部分，将主发光区的P电极和保护区的N电极连接，在低掺Si的n‑GaN做肖特基接触，再将主发光区的N电极和该电极连接，利用外延片的垂直结构，在不改变外延层结构的基础上牺牲部分发光区面积构造ESD保护电路。本发明利用外延片的垂直结构特点，在不改变外延层结构的基础上牺牲一小部分发光区面积，直接在LED芯片上构造ESD保护电路，从源头解决ESD保护电路防护问题。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直结构LED芯片 外延层结构 电路 垂直结构 主发光区 发光区 外延片 蓝光 制备 肖特基接触 单个芯片 电极连接 防护问题 平面工艺 保护区 外延层 刻蚀 隔离 源头 | ||
【主权项】：
1.一种带保护电路的蓝光垂直结构LED芯片，其特征在于，LED芯片的外延层结构包括衬底，以及衬底上依次设置的缓冲层、u GaN层、低掺Si的n GaN层、n+GaN层、n++GaN层、n+GaN层、n GaN层、MQWs层、P AlGaN层、p+GaN层和p++GaN层，ESD保护电路以最底层的低掺Si的n GaN层做肖特基接触层，利用金属与低掺n‑GaN之间的肖特基势垒进行整流。
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