[发明专利]一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201811640602.8 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109659425B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 葛振华;郭俊;冯晶 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
| 主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 李静 |
| 地址: | 650093 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: |
本发明属于热电材料技术领域,公开了一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料及其制备方法。一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料,包括Bi |
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| 搜索关键词: | 一种 利用 阻隔 提升 掺杂 效果 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料,其特征在于:包括Bi2A3和掺杂有CuCl2的Bi2A3,掺杂有CuCl2的Bi2A3晶界处包裹有金属Bi,A为S、Se或Te。
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