[发明专利]硅基外延片生长方法在审
| 申请号： | 201811638891.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109768125A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 涂逵 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基外延片生长方法，包括：将硅衬底置于PVD AlN溅射机台中，在硅衬底表面溅射一层预设厚度的AlN膜；将溅射有AlN膜的硅衬底置于MOCVD机台中，在预设条件下进行烘烤；在MOCVD机台中，依次在AlN膜表面生长AlN过渡层、AlGaN缓冲层、uGaN层、nGaN层、InGaN应力调制层、MQW层、电子阻挡层、PGaN层及欧姆接触层，得到硅基外延片，其有效改善了MOCVD机台生长硅基外延片的工艺稳定性，得到正常的外延片的同时避免因为不同MOCVD机台间的偏差出现的工艺差异，减少调试工作，增加生产稳定性，便于生产管理。 | ||
| 搜索关键词： | 机台 硅基 外延片 溅射 外延片生长 硅衬底 电子阻挡层 工艺稳定性 硅衬底表面 欧姆接触层 工艺差异 应力调制 预设条件 增加生产 过渡层 缓冲层 膜表面 生长 生产管理 烘烤 预设 调试 | ||
【主权项】：
1.一种硅基外延片生长方法，其特征在于，包括：将硅衬底置于PVD AlN溅射机台中，在所述硅衬底表面溅射一层预设厚度的AlN膜；将溅射有AlN膜的硅衬底置于MOCVD机台中，在预设条件下进行烘烤；在所述MOCVD机台中，依次在所述AlN膜表面生长AlN过渡层、AlGaN缓冲层、uGaN层、nGaN层、InGaN应力调制层、MQW层、电子阻挡层、PGaN层及欧姆接触层，得到硅基外延片。
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