[发明专利]铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法在审
| 申请号： | 201811635123.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576789A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏建德;佘建军;张志诚;叶宁;方声浩 | 申请（专利权）人： | 厦门中烁光电科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人： | 李丽颖;韩龙 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市集美区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法，包括：将待处理的铈掺杂稀土卤化物单晶置于密闭容器中；将所述密闭容器置于均匀温场中；对所述密闭容器进行抽真空并通入保护性气体；和退火处理。本发明的处理方法能够有效消除铈掺杂稀土卤化物单晶的内部应力，并改善其机械性能。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土卤化物 铈掺杂 单晶 密闭容器 机械性能 保护性气体 均匀温场 退火处理 抽真空 | ||
【主权项】：
1.一种铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法，其特征在于，包括：将待处理的铈掺杂稀土卤化物单晶置于密闭容器中；将所述密闭容器置于均匀温场中；对所述密闭容器进行抽真空并通入保护性气体；退火处理。
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