[发明专利]一种通孔层的OPC修正方法有效
| 申请号: | 201811630159.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109709762B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 陈燕鹏;李林;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种通孔层的OPC修正方法,该方法使通孔层在OPC目标层生成过程中,读入上下层通孔层的原始版图,选出通孔层到非同电位上下层通孔的距离较小的边,在经过常规的OPC操作生成通孔目标层之后,将所述选中的距离较小的边向内退一定的距离,生成最终的通孔目标层。本发明能够降低金属线末端发生短路的风险。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 通孔层 opc 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通孔层的OPC修正方法,其特征在于,该方法至少包括:步骤一、提供当前通孔层的版图,并读取该当前通孔层的上层通孔层版图和下层通孔层版图;步骤二、对所述上层通孔层、下层通孔层以及当前通孔层中的所述通孔进行常规OPC修正,所述当前通孔层经修正后生成当前通孔目标层;步骤三、提供一设定值,选中所述当前通孔目标层中通孔分别到非同电位的所述上层通孔层、下层通孔层中通孔距离小于或等于所述设定值的边;步骤四、将步骤三中选中的边向所述通孔内部缩回一段距离,生成最终的目标层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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