[发明专利]一种通孔层的OPC修正方法

说明书

本发明提供一种通孔层的OPC修正方法，该方法使通孔层在OPC目标层生成过程中，读入上下层通孔层的原始版图，选出通孔层到非同电位上下层通孔的距离较小的边，在经过常规的OPC操作生成通孔目标层之后，将所述选中的距离较小的边向内退一定的距离，生成最终的通孔目标层。本发明能够降低金属线末端发生短路的风险。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种通孔层的OPC修正方法。

背景技术

通常，在半导体制造中，通孔层在做OPC修正时会根据原始版图中各通孔之间的距离调整目标层通孔的大小，调整的规则一般为间距越小通孔向外长大的尺寸越小，间距越大，通孔向外长大的尺寸越大。另外也会判断通孔到其连接的上下层金属线边界的包裹距离，即包裹距离越小，通孔可以向外长大的尺寸越小，包裹距离越大，通孔可以向外长大的距离越大。原始版图的通孔层在经过上述重新定义尺寸的过程并结合全局的尺寸偏移量之后可以生成最终的通孔目标层。后续的OPC步骤会基于目标层来生成最后的掩模板层。

理论上通孔与上下层的通孔之间并不直接相连，所以通常通孔层在生成目标层的过程中并不会引入上下层通孔层作为参考，但是在实际的工艺生产过程中有发现在上下层通孔间距较近的位置发生金属线末端短路的问题，分析其原因可能为上下层通孔之间间距太小，导致同时连接上下层通孔的不同电位的金属线由于通孔的长大效应，使得金属线之间的间距太小，进而发生金属线末端短路的情况。

基于现有技术，通孔层在进行OPC修正时一般会基于通孔之间的间距调整目标层通孔的尺寸，也会基于通孔到与其连接的金属线层边界的距离调整目标层通孔的尺寸。但是没有考虑上下层通孔相对位置的情况。版图中也会有通孔距离上下层通孔较近的情况。且由于通孔层的倒梯形结构特点，可能会引起连接通孔处的上层和下层金属线尺寸增大，可能会出现金属线间距太小，甚至出现金属线发生短路的情况。

因此，需要提出一种OPC修正方法解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种通孔层的OPC修正方法，用于解决现有技术中由于上下层通孔之间间距太小，导致同时连接上下层通孔的不同电位的金属线由于通孔的长大效应，使得金属线之间的间距太小，进而发生金属线末端短路的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种通孔层的OPC修正方法，该方法至少包括：步骤一、提供当前通孔层的版图，并读取该当前通孔层的上层通孔层版图和下层通孔层版图；步骤二、对所述上层通孔层、下层通孔层以及当前通孔层中的所述通孔进行常规OPC修正，所述当前通孔层经修正后生成当前通孔目标层；步骤三、提供一设定值，选中所述当前通孔目标层中通孔分别到非同电位的所述上层通孔层、下层通孔层中通孔距离小于或等于所述设定值的边；步骤四、将步骤三中选中的边向所述通孔内部缩回一段距离，生成最终的目标层。

优选地，步骤一还提供上层金属线层、当前金属线层的版图，所述上层通孔层、上层金属线层、当前通孔层、当前金属线层、下层通孔层自上而下依次层叠。

优选地，所述上下层通孔层中设有若干通孔，所述上下层金属线层中设有若干金属线。

优选地，所述上层通孔层中通孔的下端被所述上层金属线层中的金属线包裹；所述当前通孔层中通孔的上端被所述上层金属线层中的金属线包裹；所述当前通孔层中通孔的下端被所述当前金属线层中的金属线包裹；所述下层通孔层中通孔的上端被所述当前金属线层中的金属线包裹；并且所述上层通孔层中通孔与所述当前通孔层中通孔非同电位；所述当前通孔层中通孔与所述下层通孔层中通孔非同电位。

优选地，所述步骤二中的常规OPC操作包括根据所述通孔之间的间距、上下层金属线层中的金属线分别对当前通孔层中通孔的包裹距离作的偏移。

优选地，步骤三中的所述设定值为设计规则最小间距值。

优选地，步骤四中对选中的边向所述通孔内部缩回一段距离，该缩回的距离取值范围为1nm至10nm。