[发明专利]三维集成电路系统的抗静电放电方法在审
| 申请号： | 201811630154.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384045A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 俞大立;柳雅琳 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维集成电路系统的抗静电放电方法，提供SOC芯片和Memory芯片，所述SOC芯片和Memory芯片通过硅通孔或混合键合技术实现三维堆叠，系统的若干引脚于SOC芯片端引出，将位于Memory芯片端的Memory芯片静电放电主通路电源引入到SOC芯片端，并通过电源中断单元连接至SOC芯片静电放电主通路电源，缩短Memory芯片抗静电放电处理路径；或者系统的若干引脚于Memory芯片端引出，将位于SOC芯片端的SOC芯片静电放电主通路电源引入到Memory芯片端，并通过电源中断单元连接至Memory芯片静电放电主通路电源，缩短SOC芯片抗静电放电处理路径。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 系统 抗静电 放电 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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