[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
申请号: | 201811628308.5 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109768124B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 兰叶;顾小云 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法,属于半导体技术领域。所述生长方法包括:在衬底上形成缓冲层;在所述缓冲层上生长第一本征氮化镓层;采用离子轰击所述第一本征氮化镓层;在所述第一本征氮化镓层上生长第二本征氮化镓层;采用离子轰击所述第二本征氮化镓层,所述第二本征氮化镓层的轰击深度大于所述第一本征氮化镓层的轰击深度;在所述第二本征氮化镓层上生长第三本征氮化镓层,所述第三本征氮化镓层的生长速率小于所述第二本征氮化镓层的生长速率;在所述第三本征氮化镓层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。本发明可以有效减少外延片内线缺陷的密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管外延片的生长方法,其特征在于,所述生长方法包括:在衬底上形成缓冲层;在所述缓冲层上生长第一本征氮化镓层;采用离子轰击所述第一本征氮化镓层;在所述第一本征氮化镓层上生长第二本征氮化镓层;采用离子轰击所述第二本征氮化镓层,所述第二本征氮化镓层的轰击深度大于所述第一本征氮化镓层的轰击深度;在所述第二本征氮化镓层上生长第三本征氮化镓层,所述第三本征氮化镓层的生长速率小于所述第二本征氮化镓层的生长速率;在所述第三本征氮化镓层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。
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