[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811625823.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109768130A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层的材料采用掺杂Be的GaN。本发明通过在P型半导体层中采用Be作为P型掺杂剂，Be的受主电离能约为60meV，远小于Mg的受主电离能(约为250meV)，与采用Mg作为P型掺杂剂相比，可以更容易地得到空穴，提高空穴浓度，改善有源层中电子和空穴注入不对称的情况，避免造成LED的发光效率在注入电流增大的情况下，反而快速降低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓基发光二极管 空穴 外延片 源层 电离能 衬底 受主 半导体技术领域 发光效率 依次层叠 注入电流 不对称 增大的 制作 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述P型半导体层的材料采用掺杂Be的GaN。
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