[发明专利]MEMS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811625593.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109678102A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 季锋;江为团;刘琛;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 冯丽欣 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。该方法采用不均匀厚度的敏感膜片，使得压力集中于连接部以提高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感膜片 岛状部 敏感电阻 空腔 压力集中 不均匀 灵敏度 敏感膜 衬底 半导体 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制造MEMS结构的方法，包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。
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