[发明专利]功率半导体器件

摘要

本发明提出了一种功率半导体器件，包括第二导电类型衬底、第一导电类型下漂移区、第一导电类型漏极接触区、漏极金属电极、第二导电类型下体区、第一导电类型下源极区、第二导电类型下体接触区、下源电极、下栅介质层、下栅电极、埋氧化层、第一导电类型上漂移区、第二导电类型上体区、第一导电类型上源极区、第二导电类型上体接触区、上源电极、第一导电类型上漏极接触区、上栅介质层、上栅电极，本发明降低了LDMOS器件的导通电阻，同时不影响器件的关态击穿电压特性，在维持击穿电压不变的基础上，采用本发明提出的双层LDMOS器件结构，相比传统LDMOS器件导通电阻降低超过50％，因此有效降低了器件的器件的导通功耗。

主权项

1.一种功率半导体器件，其特征在于：包括第二导电类型衬底(9)，所述第二导电类型衬底(9)上有第一导电类型下漂移区(11)；所述第一导电类型下漂移区(11)的右侧有高掺杂浓度的第一导电类型漏极接触区(12)，所述第一导电类型漏极接触区(12)与器件顶部漏极金属电极(10)连接；所述第一导电类型下漂移区(11)的左侧有第二导电类型下体区(13)；所述第二导电类型下体区(13)内左侧有第一导电类型下源极区(14)和第一导电类型下源极区(14)上方的第二导电类型下体接触区(15)，下源电极(18)将所述第一导电类型下源极区(14)和第二导电类型下体接触区(15)短接，下源电极(18)贯穿器件从表面引出；所述第二导电类型下体区(13)表面有下栅介质层(16)，所述下栅介质层(16)的表面有下栅电极(17)；所述第一导电类型下漂移区(11)上有埋氧化层(8)，所述埋氧化层(8)上有第一导电类型上漂移区(21)；所述第一导电类型半导体上漂移区(21)的左侧有第二导电类型上体区(23)；所述第二导电类型上体区(23)内上方有第一导电类型上源极区(24)和第二导电类型上体接触区(25)，器件表面有上源电极(28)，将所述上源极区(24)和第二导电类型上体接触区(25)短接；第一导电类型上漏极接触区(22)位于第一导电类型上漂移区(21)内并与漏极金属电极(10)相接触，所述第二导电类型上体区(23)上表面有上栅介质层(26)，所述上栅介质层(26)上表面有上栅电极(27)。