[发明专利]一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811620046.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109698232A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李雯 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。本发明采用Si作为衬底，并采用应变GeSn作为肖特基接触的半导体部分，使肖特基二极管具有较高的电子迁移率，适用于微波无线传输系统等，可以提升能量转换效率；本发明的应力施加方式，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 衬底 金属电极 无线充电 制备 微波 能量转换效率 微波无线传输 衬底下表面 电子迁移率 肖特基接触 应力施加 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种用于微波无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。
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