[发明专利]基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路有效
| 申请号： | 201811603308.X | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109687869B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 程绪林;黄立朝;李珂;臧凯旋;丁宁;常伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03M1/06 | 分类号： | H03M1/06 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路。偏置电路包括：2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路和、电压自偏置电路和、双极型复合管、串联分压管、串联电阻分压电路和电流偏置电路；2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路串联，用于从高压端口VDD获取高压，并分压降压后得到采样电压VK；采样电压VK经过电压自偏置电路和稳压后产生稳定的电压VQ；稳定电压VQ经过双极型复合管和串联分压管进行电压降压微调后，输出恒定的低压偏置电压VCC；恒定的偏置电压VCC经过串联电阻分压电路分压后，获得多种取值的参考电压VREF；同时电流偏置电路利用恒定的偏置电压VCC产生多路的稳定偏置电流IBAS。整个偏置电路网络提高了电路的集成度，缩小芯片面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高压 高精度 多晶 电阻 降压 偏置 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括：2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路11和12、电压自偏置电路13和14、双极型复合管15、串联分压管16、串联电阻分压电路17和电流偏置电路18；所述高耐压高精度的多晶电阻分压电路11与所述高耐压高精度的多晶电阻分压电路12串联，用于从高压端口VDD获取高压，并分压降压后得到采样电压VK；采样电压VK经过电压自偏置电路13和14稳压后产生稳定的电压VQ；稳定电压VQ经过双极型复合管15和串联分压管16进行电压降压微调后，输出恒定的低压偏置电压VCC；恒定的偏置电压VCC经过串联电阻分压电路17分压后，获得多种取值的参考电压VREF；同时电流偏置电路18利用恒定的偏置电压VCC产生多路的稳定偏置电流IBAS。
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