[发明专利]基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路

权利要求书

1.一种基于阱内高压高精度多晶电阻的降压分压偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括：2个高耐压高精度的多晶电阻分压电路11和12、电压自偏置电路13和14、双极型复合管15、串联分压管16、串联电阻分压电路17和电流偏置电路18；所述高耐压高精度的多晶电阻分压电路11与所述高耐压高精度的多晶电阻分压电路12串联，用于从高压端口VDD获取高压，并分压降压后得到采样电压VK；采样电压VK经过电压自偏置电路13和14稳压后产生稳定的电压VQ；稳定电压VQ经过双极型复合管15和串联分压管16进行电压降压微调后，输出恒定的低压偏置电压VCC；恒定的偏置电压VCC经过串联电阻分压电路17分压后，获得多种取值的参考电压VREF；同时电流偏置电路18利用恒定的偏置电压VCC产生多路的稳定偏置电流IBAS；

所述电压自偏置电路14包括m个串联的齐纳二极管，所述m个串联的齐纳二极管的击穿电压为VQ，m为正整数。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，每个高耐压高精度的多晶电阻分压电路包括多个串联的高耐压高精度的多晶电阻，且每个高耐压高精度的多晶电阻分压电路中串联的多晶电阻的个数相同或者不同。

3.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述多晶电阻包括衬底21、辅助漂移区22、漂移区23、阱24、SiO2绝缘层25、绝缘介质层26、SiO2绝缘STI层27、SiN绝缘隔离层28、硅化物接触点29、金属Al引线端口30、金属Al引线端口31、硅化物接触点32、多晶硅电阻区33、SiO2绝缘STI层34。

4.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述漂移区23和所述阱24的电位连接至金属Al引线端口30或金属Al引线端口31中电压高的端口，或者，连接至高压电源端口VDD，或者，悬空。

5.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述多晶电阻的多晶硅电阻区33设置在阱24内，其四面被SiO2绝缘层25、SiO2绝缘STI层27、SiN绝缘隔离层28及SiO2绝缘STI层34完全封闭隔离。

6.根据权利要求1至5任一所述的偏置电路，其特征在于，所述双极型复合管15包括由Q11和Q12组成的双极型复合管结构。

7.根据权利要求1至5任一所述的偏置电路，其特征在于，所述串联分压管16包括k个串联的三极管Q21～Q2k，k为正整数。

8.根据权利要求1至5任一所述的偏置电路，其特征在于，所述串联电阻分压电路17包括j个串联电阻，每个串联电阻产生一个参考电压VREF，j为正整数。

9.根据权利要求1至5任一所述的偏置电路，其特征在于，所述电流偏置电路18包括电阻R33、PMOS管PM12～PM1i以及NMOS管NM12～NM1i，其中，PM13～PM1i输出电流偏置IBAS3～IBASi，i为正整数。