[发明专利]沟槽栅功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811601026.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370464A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李东升 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率器件，正面结构中的载流子存储层和沟道区都分布采用外延层形成，不再采用阱注入工艺和推阱形成的阱区作为沟道区以及采用离子注入加推阱形成载流子存储层，从而能消除推阱工艺对载流子存储层和沟道区的杂质浓度分布和厚度的影响，能使载流子存储层和沟道区都具有杂质浓度分布和厚度都能精确控制的结构。为此，本发明还公开了一种沟槽栅功率器件的制造方法。本发明能同时对沟道区和载流子存储层的掺杂浓度分布以及厚度进行精确控制，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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