[发明专利]一种高可靠NIP结构台面型光电二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体光电二极管领域，特别涉及一种高可靠NIP结构台面型光电二极管及制作方法，所述光电二极管包括半绝缘衬底，在衬底上生长有缓冲层、接触层、吸收层、渐变层和阻挡层；所述结构采用三层台面芯片结构，台面表面覆盖有钝化层，从所述N型台面引出N电极，从P型台面引出P电极，从而与所述N电极形成共平面电极；本发明采用NIP结构的光电二极管将P型层放在最低部，深埋在材料内部，可避免漏电和复杂的表面保护等问题；再配合三层台面的几何结构设计，可有效将内建电场限制在体内中心处，并最小化台面周边的边缘电场，抑制台面边缘的漏电流和边缘击穿，从而达到提高二级管芯片可靠性的目的。

主权项

1.一种高可靠NIP结构台面型光电二极管，其特征在于，所述台面型光电二极管包括三层台面结构，包括从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面；在所述P型台面的台阶最底层为半绝缘衬底；每个台面的表面均覆盖有钝化层，从所述N型台面引出N电极，从P型台面引出P电极，从而P电极与所述N电极形成共平面电极。