[发明专利]阵列基板结构的制备方法、阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201811595969.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109786335B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、非晶硅层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在沟道区域的厚度为预设厚度；蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层和所述非晶硅层；基于预设比率的混合气体对所述光刻掩膜进行灰化处理，以去除沟道区域内的所述光刻掩膜；基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层和所述非晶硅层，并在蚀刻所述非晶硅层时加入偏压电源，以使所述金属层覆盖沟道区域外的所述非晶硅层，形成阵列基板结构。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明解决了阵列基板容易产生漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 板结 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述阵列基板结构的制备方法包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、非晶硅层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在沟道区域的厚度为预设厚度；蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层和所述非晶硅层；基于预设比率的混合气体对所述光刻掩膜进行灰化处理，以去除沟道区域内的所述光刻掩膜；基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层和所述非晶硅层，并在蚀刻所述非晶硅层时加入偏压电源，以使所述金属层覆盖沟道区域外的所述非晶硅层，形成阵列基板结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
