[发明专利]阵列基板结构的制备方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述阵列基板结构的制备方法包括以下步骤：

在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、非晶硅层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在沟道区域的厚度为预设厚度；

蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层和所述非晶硅层；

基于预设比率的混合气体对所述光刻掩膜进行灰化处理，以去除沟道区域内的所述光刻掩膜，在基于预设比率的混合气体对所述光刻掩膜进行灰化处理时，通过加入偏压电源，对所述非晶硅层进行侧向蚀刻，以减少所述非晶硅层和所述金属层的横向宽度差值；

基于灰化处理后的光刻掩膜，对金属层和非晶硅层进行第二次蚀刻，所述第二次蚀刻包括对所述光刻掩膜覆盖范围外的金属层进行湿蚀刻；

基于灰化处理后的光刻掩膜以及湿蚀刻后的金属层，对所述金属层覆盖范围外的非晶硅层进行干蚀刻，并在蚀刻所述非晶硅层时加入偏压电源，以使所述金属层覆盖沟道区域外的所述非晶硅层，形成阵列基板结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述在所述金属层上形成光刻掩膜的步骤包括：

在所述金属层上涂抹光刻胶后，基于掩膜板对所述光刻胶进行曝光；

蚀刻曝光后的所述光刻胶，以形成在沟道区域的厚度为所述预设厚度的所述光刻掩膜。

3.如权利要求2所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述阵列基板结构的制备方法还包括：

在蚀刻曝光后的所述光刻胶时，通过在预设时间内对所述光刻胶进行预设强度的过蚀刻，以使形成的所述光刻掩膜的临界尺寸偏差小于预设值。

4.如权利要求1-3中任一项所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述预设厚度的厚度范围为

5.如权利要求1所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述混合气体包括六氟化硫和氧气，所述预设比率为六氟化硫和氧气的比值范围为0.02-0.1。

6.如权利要求5所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述混合气体中六氟化硫的体积流量范围为200-800sccm。

7.如权利要求5所述的阵列基板结构的制备方法，其特征在于，所述混合气体中氧气的体积流量范围为8000-10000sccm。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括阵列基板结构，所阵列基板结构由权利要求1至7中任一项所述的阵列基板结构的制备方法形成。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8中所述的阵列基板。