[发明专利]基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811585730.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109473487A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王霆;芦政;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人： | 袁丽花 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市秀洲*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池及其制备方法，所述晶体硅太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合陷光结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的介质层及位于介质层上或介质层内的金属纳米颗粒阵列层。本发明中晶体硅太阳电池的开路电压、短路电流均有明显的提升，光电转换效率有了大幅度的提高，取得了意想不到的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅太阳电池 陷光结构 第一表面 介质层 硅片 复合 制备 光电转换效率 金属纳米颗粒 第二表面 短路电流 硅片表面 技术效果 开路电压 相对设置 阵列层 | ||
【主权项】：
1.一种基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合陷光结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的介质层及位于介质层上或介质层内的金属纳米颗粒阵列层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
