[发明专利]一种用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置有效
申请号: | 201811584965.4 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109450454B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 马征 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H03M13/11 | 分类号: | H03M13/11;H03M13/13;H03M13/29 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 陈亚斌;关兆辉 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置。其中的用于NAND闪存的获取译码软值的装置包括:读写控制器和纠错编码迭代译码器。通过使用上述的用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置,可以得到比较准确的译码似然比软值。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 nand 闪存 获取 译码 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于NAND闪存的获取译码软值的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤A,读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取;步骤B,读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码;步骤C,判断是否正确译码,如果是,则执行步骤I;否则,执行步骤D;步骤D,读写控制器计算所读取的每个寄存器电压值与各状态门限电压的电压差之间的平方距离,并将计算得到的平方距离作为初始软值;为每个初始软值设置加权系数,将初始软值与对应的加权系数的乘积作为用于译码的加权软值;步骤E,将加权软值输入纠错编码迭代译码器进行软判决译码;步骤F,判断是否正确译码,如果是,则执行步骤I;否则,执行步骤G;步骤G,判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数,如果是,则执行步骤I;否则,执行步骤H;步骤H,将当前的参考电压的级数增加一级,再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取;返回执行步骤D;步骤I,输出译码结果作为读出数据。
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