[发明专利]基于杂化型等离子共振增强的红外探测器有效

专利信息
申请号: 201811581248.6 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109659387B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 吴绍龙;丁浩;徐玉亭;眭博闻;张程;秦琳玲;李孝峰 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L31/108 分类号: H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 代理人: 王利斌
地址: 215137 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器的制备成本偏高、光吸收不高和吸收波段调制困难的问题提出一种基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底金属膜层的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。
搜索关键词: 基于 杂化型 等离子 共振 增强 红外探测器
【主权项】:
1.基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,其特征在于:所述的红外探测器为复合层式结构,由下而上依次为基底、底金属膜层、中间半导体层、顶层金属微纳米孔阵列层;其中底金属膜层和顶层金属微纳米孔阵列层通过导线连接,底金属膜层和中间半导体层上分别引出电极导线。
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