[发明专利]基于杂化型等离子共振增强的红外探测器有效
申请号: | 201811581248.6 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109659387B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 吴绍龙;丁浩;徐玉亭;眭博闻;张程;秦琳玲;李孝峰 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器的制备成本偏高、光吸收不高和吸收波段调制困难的问题提出一种基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底金属膜层的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。 | ||
搜索关键词: | 基于 杂化型 等离子 共振 增强 红外探测器 | ||
【主权项】:
1.基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,其特征在于:所述的红外探测器为复合层式结构,由下而上依次为基底、底金属膜层、中间半导体层、顶层金属微纳米孔阵列层;其中底金属膜层和顶层金属微纳米孔阵列层通过导线连接,底金属膜层和中间半导体层上分别引出电极导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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