[发明专利]一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/Bi复合薄膜有效
申请号: | 201811579272.6 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109686798B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金立川;李佳璐;张岱南;张怀武;向全军;钟智勇;唐晓莉;白飞明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C30B19/02 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法,属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中,Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化,即Bi半金属薄膜厚度增加,复合薄膜的红外光反射强度减弱,光学吸收增强,光电效应增加,使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景;同时,该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测,可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 红外 光电 探测 磁性 铁氧体 bi 复合 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/Bi复合薄膜,其特征在于,包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的