[发明专利]一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/Bi复合薄膜

权利要求书

1.一种磁性铁氧体/ Bi复合薄膜在中远红外光电探测中的应用，其特征在于，所述磁性铁氧体/ Bi复合薄膜包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层，所述磁性铁氧体薄膜层为尖晶石铁氧体、石榴石铁氧体或者磁铅石铁氧体薄膜，厚度为100 nm ~ 50 μm；所述Bi薄膜层的厚度为1 nm ~ 500 nm。

2.根据权利要求1所述的磁性铁氧体/ Bi复合薄膜在中远红外光电探测中的应用，其特征在于，所述衬底为硅、玻璃或石榴石单晶基片。

3. 根据权利要求1所述的磁性铁氧体/ Bi复合薄膜在中远红外光电探测中的应用，其特征在于，所述衬底为GGG单晶基片，磁性铁氧体薄膜层为钇铁石榴石薄膜。

4. 根据权利要求1所述的磁性铁氧体/ Bi复合薄膜在中远红外光电探测中的应用，其特征在于，所述磁性铁氧体薄膜层采用液相外延法或者真空气相沉积法制备得到，所述Bi薄膜层采用分子束外延或磁控溅射法制备得到。

5. 一种磁性铁氧体/ Bi复合薄膜在中远红外光电探测中的应用，其特征在于，所述磁性铁氧体/ Bi复合薄膜的制备过程具体为：

步骤1、以Fe₂O₃和Y₂O₃作为原料，Bi₂O₃作为熔剂，制备熔体；然后采用液相外延的方法在GGG单晶基片上生长钇铁石榴石薄膜层，生长温度为900~980 ℃，时间为5~10 min；

步骤2、采用分子束外延方法在步骤1得到的磁性铁氧体薄膜层上形成Bi薄膜层，具体过程为：首先，将Bi源升温至400~600 ℃，步骤1得到的带钇铁石榴石薄膜的基片升温至200~500 ℃并保温1h；然后在基片温度自然降至25~300℃时，打开铋源，开始进行分子束外延生长，直至得到厚度为1 nm ~ 500 nm的Bi薄膜层，完成所述磁性铁氧体/ Bi复合薄膜的制备。