[发明专利]一种单晶硅异质结太阳电池的低温焊接方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅异质结太阳电池的低温焊接方法，包括以下步骤；在电池片的表面织构一层8‑12nm厚的本征非晶硅层和P型非晶硅层；在c‑Si片的背面沉积一层18‑22nm的本征非晶硅层和n型非晶硅层；利用溅射技术在电池片的两面沉积TCO导电膜；使用丝网印刷技术在电池片的两面制作Ag电极；对电池片的表面进行清理，将电池片放置到焊架上以叠瓦的方式首尾重叠；采用焊带对焊架上的电池片进行焊接；焊缝冷却后，拆除保温材料，将电池片之间周围均匀涂抹防水胶进行边框封装。本发明提供了一种单晶硅异质结太阳电池的低温焊接方法，大大减少了HIT电池在焊接时银浆脱落，大大减少了HIT电池在焊接时烧穿TCO膜，大大减少了HIT电池在焊接时破片，增加了产能。

主权项

1.一种单晶硅异质结太阳电池的低温焊接方法，其特征在于，包括以下步骤；步骤一、在电池片的表面织构一层8‑12nm厚的本征非晶硅层和P型非晶硅层；步骤二、在c‑Si片的背面沉积一层18‑22nm的本征非晶硅层和n型非晶硅层；步骤三、利用溅射技术在电池片的两面沉积TCO导电膜；步骤四、使用丝网印刷技术在电池片的两面制作Ag电极；步骤五、对电池片的表面进行清理，将电池片放置到焊架上以叠瓦的方式首尾重叠；步骤六、采用焊带对焊架上的电池片进行焊接；步骤七、焊接完成后，采用保温材料包裹电池片，使焊缝缓慢冷却；步骤八、焊缝冷却后，拆除保温材料，将电池片之间周围均匀涂抹防水胶进行边框封装。