[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811573030.6 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109962072B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 宿口泰弘;藤井孝 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H10B41/00 分类号: H10B41/00;H10B43/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体装置,其中可以减少由单元功能改变引起的影响。该半导体装置包括使用基本单元设计的功能单元,该基本单元包括设置在半导体基底的主表面上并且具有预定图案的第一布线层,以及设置在第一布线层上并且具有预定图案的第二布线层。功能单元与通过在设计阶段改变第二布线层的图案而被修改为具有预定功能的基本单元相对应。功能单元具有第一布局和第二布局,该第一布局和第二布局在与主表面平行的平面中在一个方向上并置设置。通过将属于第一布局和第二布局的相应的第二布线层的导线耦合在一起,来为功能单元提供预定功能。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:使用基本单元来设计的功能单元,所述基本单元包括:设置在半导体基底的主表面上并且具有预定图案的第一布线层,以及设置在所述第一布线层上并且具有预定图案的第二布线层,所述功能单元与通过在设计阶段改变所述第二布线层的图案而被修改为具有预定功能的所述基本单元相对应,其中所述功能单元具有第一布局和第二布局,所述第一布局和所述第二布局在与所述主表面平行的平面中在一个方向上并置设置,其中通过将属于所述第一布局和所述第二布局的相应的所述第二布线层的导线耦合在一起,来为所述功能单元提供所述预定功能,其中所述第一布局包括:第一晶体管;第二晶体管,在所述平面中在与所述一个方向交叉的另一方向上与所述第一晶体管并置设置,并且具有与所述第一晶体管的导电类型不同的导电类型;第一导线,将所述第一晶体管的任何一个扩散层耦合到第一电源;第二导线,耦合到所述第一晶体管的另一扩散层;第三导线,将所述第二晶体管的任何一个扩散层耦合到第二电源;第四导线,耦合到所述第二晶体管的另一扩散层;以及第五导线,在所述另一方向上设置在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间,并且耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的共用栅电极,其中所述第二布局包括:第三晶体管;第四晶体管,在所述另一方向上与所述第三晶体管并置设置,并且具有与所述第三晶体管的导电类型不同的导电类型;第六导线,耦合到所述第三晶体管的任何一个扩散层;第七导线,耦合到所述第三晶体管的另一扩散层;第八导线,耦合到所述第四晶体管的任何一个扩散层;第九导线,耦合到所述第四晶体管的另一扩散层;以及第十导线,在所述另一方向上设置在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间,并且耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管的共用栅电极,其中每个均属于所述第一布线层的所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线在所述另一方向上延伸,以及其中每个均属于所述第一布线层的所述第五导线、所述第六导线、所述第七导线、所述第八导线、所述第九导线和所述第十导线在所述一个方向上延伸。
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