[发明专利]一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811566355.1 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109728161B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;凌尧天;王宗巍;方亦陈;肖韩;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法，在不影响CMOS电路性能和可靠性的前提下，通过专门设计的工艺流程在片上集成性能良好、稳定的忆阻器，解决了忆阻器阵列与传统CMOS电路集成的问题，并可有效解决置位过冲电压和泄露电流的问题。通过本发明的方法可以利用忆阻器的高集成度、低功耗等特性来制作阻变存储芯片，更进一步可利用忆阻器的缓变特性等来实现AI芯片的制作，对未来阻变存储器芯片和基于阻变存储器的AI芯片研究都有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 平台 氧化物 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器或其阵列，包括位于传统CMOS电路层上方的上、中、下三个介质层，其中，三个介质层两两之间由金属阻挡层隔开；下方介质层中有两类沟道，沟道内填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层；中间介质层中有两类沟道，分别正对于下方介质层中的两类沟道，两类沟道均填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层，两类沟道的底部黏附层与下方介质层沟道的金属层直接相连；上方介质层中有两类沟道，分别正对于中间介质层的两类沟道，两类沟道均填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层，其中一类沟道的底部黏附层与位于其正下方的中间介质层沟道之间设有阻变层，另一类沟道的底部黏附层与位于其正下方的中间介质层沟道的金属层直接相连。
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