[发明专利]光电集成电路及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电集成电路及其制备方法，该方法包括：在硅衬底表面生长外延层，并在外延层内刻蚀形成光电集成区和CMOS器件区；在CMOS器件区制备CMOS器件；在光电集成区制备发光器件、波导器件及探测器件；在CMOS器件中的PMOS表面和波导器件表面形成第一应变层；在CMOS器件中的NMOS表面和探测器件表面形成第二应变层；在光电集成区和CMOS器件区制备电极。本发明实施例，通过将压应变材料设置于PMOS表面和所述波导器件表面，张应变材料设置于NMOS表面和所述探测器件表面，通过应变调制波导器件和探测器件的禁带宽度，实现同层单片光电集成，并简化工艺。