[发明专利]具有横向耦合结构和单层栅极的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201811564732.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110190057B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 崔光一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/41 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开具有横向耦合结构和单层栅极的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括多个单位单元。多个单位单元中的每一个都包括：第一有源区，其被设置在衬底中沿第一方向延伸；浮置栅极，其沿第二方向延伸以跨越第一有源区；第一选择栅极，其被设置为与浮置栅极的第一侧表面相邻以跨越第一有源区；第二选择栅极，其被设置为与浮置栅极的与第一选择栅极相背离的第二侧表面相邻以跨越第一有源区；第一介电层，其被设置在浮置栅极和第一选择栅极之间；以及第二电介层，其被设置在浮置栅极和第二选择栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 耦合 结构 单层 栅极 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，其包括多个单位单元，所述多个单位单元中的每一个单位单元包括：第一有源区，其被设置在衬底中以沿第一方向延伸；浮置栅极，其沿第二方向延伸以跨越所述第一有源区；第一选择栅极，其被设置为与所述浮置栅极的第一侧表面相邻，以跨越所述第一有源区；第二选择栅极，其被设置为与所述浮置栅极的与所述第一选择栅极相背离的第二侧表面相邻，以跨越所述第一有源区；第一介电层，其被设置在所述浮置栅极的第一侧表面和所述第一选择栅极的第一侧表面之间；以及第二介电层，其被设置在所述浮置栅极的第二侧表面和所述第二选择栅极的第一侧表面之间。
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