[发明专利]具有横向耦合结构和单层栅极的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，其包括多个单位单元，所述多个单位单元中的每一个单位单元包括：

第一有源区，其被设置在衬底中以沿第一方向延伸；

浮置栅极，其沿第二方向延伸以跨越所述第一有源区；

第一选择栅极，其被设置为与所述浮置栅极的第一侧表面相邻，以跨越所述第一有源区；

第二选择栅极，其被设置为与所述浮置栅极的与所述第一选择栅极相背离的第二侧表面相邻，以跨越所述第一有源区；

第一介电层，其被设置在所述浮置栅极的第一侧表面和所述第一选择栅极的第一侧表面之间；以及

第二介电层，其被设置在所述浮置栅极的第二侧表面和所述第二选择栅极的第一侧表面之间。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个单位单元分别位于多个行和多个列的相交点处。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括导电连接线，其将所述第一选择栅极的端部连接到所述第二选择栅极的端部，

其中，所述导电连接线不与所述第一有源区重叠，并且被设置在包围所述第一有源区的隔离层上。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

第一结区，其形成在所述第一有源区的、与所述第一选择栅极的同所述浮置栅极相背离的第二侧表面相邻的一端中，其中所述第一结区被耦合到源极线；

第二结区，其形成在所述第一选择栅极的第一侧表面与所述浮置栅极的第一侧表面之间的所述第一有源区中，其中所述第二结区是电浮置的；

第三结区，其形成在所述浮置栅极的第二侧表面和所述第二选择栅极的第一侧表面之间的所述第一有源区中，其中所述第三结区是电浮置的；以及

第四结区，其形成在所述第一有源区的、与所述第二选择栅极的同所述浮置栅极相背离的所述第二侧表面相邻的另一端，其中所述第四结区被耦合到位线。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述第一至第四结区是N型结区。

6.如权利要求4所述的非易失性存储器件，

其中，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极被耦合到字线；以及

其中，通过将正编程电压施加到所述字线、将正位线编程电压施加到所述位线、以及将接地电压施加到所述源极线来对所述多个单位单元中的每一个单位单元编程。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

第一栅极绝缘层，其被设置在所述衬底和所述浮置栅极之间；

第二栅极绝缘层，其被设置在所述衬底和所述第一选择栅极之间；以及

第三栅极绝缘层，其被设置在所述衬底和所述第二选择栅极之间。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一介电层在所述第二方向上的宽度基本上等于所述第二介电层在所述第二方向上的宽度。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括第二有源区，其被设置为与所述第一有源区间隔开并且与所述浮置栅极重叠。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述第二有源区与所述第一选择栅极和所述第二选择栅极中的任何一个重叠。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极都不与所述第二有源区重叠。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器件，还包括：

第一阱区，其被设置为包围所述第一有源区并被耦合到阱偏置线；以及

第二阱区，其被设置为在所述第二方向上与所述第一阱区域间隔开并且被设置为包围所述第二有源区，

其中所述第二阱区被耦合到擦除线。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述第二阱区具有与所述第一阱区的导电类型相反的导电类型。