[发明专利]具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法在审
| 申请号： | 201811562647.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110010748A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 弗洛里安·伯斯尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/58;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法。该设备具有主载体(3)和多个半导体芯片(2)，所述半导体芯片设计用于产生辐射并且设置在主载体上，其中将辐射转换材料(6)至少局部地设置在半导体芯片和主载体上，所述辐射转换材料将由半导体芯片在运行时产生的初级辐射至少部分地转换成次级辐射；主载体构成为至少在半导体芯片的区域中对于初级辐射是反射的；设备具有副载体(4)，在所述副载体上固定主载体；在副载体的朝向主载体的前侧(40)上设置散射体(5)，其中散射体遮盖半导体芯片；和在设备运行时至少次级辐射穿过散射体的背离副载体的前侧(50)和穿过副载体的背离主载体的后侧(41)射出。 | ||
| 搜索关键词： | 主载体 半导体芯片 散射体 辐射转换材料 初级辐射 次级辐射 制造设备 背离 穿过 设备运行 运行时 射出 反射 遮盖 辐射 转换 | ||
【主权项】：
1.一种具有主载体(3)和多个半导体芯片(2)的设备(1)，所述半导体芯片设计用于产生辐射并且设置在所述主载体上，其中‑辐射转换材料(6)至少局部地设置在所述半导体芯片和所述主载体上，所述辐射转换材料将由所述半导体芯片在运行时产生的初级辐射至少部分地转换成次级辐射；‑所述主载体构成为至少在所述半导体芯片的区域中对于所述初级辐射是反射的；‑所述设备具有副载体(4)，在所述副载体上固定有所述主载体；‑在所述副载体的朝向所述主载体的前侧(40)上设置散射体(5)，其中所述散射体遮盖所述半导体芯片；和‑在所述设备运行时至少所述次级辐射穿过所述散射体的背离所述副载体的前侧(50)和穿过所述副载体的背离所述主载体的后侧(41)射出。
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