[发明专利]一种端口静电释放保护电路

摘要

本发明提供一种端口静电释放保护电路，包括低压选择电路和NMOS晶体管；低压选择电路的一个输入端和NMOS晶体管的漏极，均与待保护端口相连；低压选择电路的另一输入端和NMOS晶体管的源极均接地；低压选择电路的输出端与NMOS晶体管的栅极和衬底相连；并且，低压选择电路输出端输出的信号，为低压选择电路的两个输入端接收的信号中电位较低的信号。本发明通过增加低压选择电路，保证NMOS管的衬底电位始终是待保护端口和地之间的较低电位，当待保护端口接收到负电压信号时，NMOS晶体管的衬底与漏极之间的寄生二极管不会正向导通，避免NMOS管在工作时被烧毁的风险。

主权项

1.一种端口静电释放保护电路，其特征在于，包括：低电压选择电路和NMOS晶体管；其中：所述低电压选择电路的一个输入端，和，所述NMOS晶体管的漏极，均与待保护端口相连；所述低电压选择电路的另一个输入端，和，所述NMOS晶体管的源极，均接地；所述低电压选择电路的输出端与所述NMOS晶体管的栅极和衬底相连；且所述低电压选择电路的输出端输出的信号，为所述低电压选择电路的两个输入端接收的信号中电位较低的信号。