[发明专利]适用于大面阵CMOS图像传感器的驱动增强型像素结构

摘要

本发明公开适用于大面阵CMOS图像传感器的驱动增强型像素结构，包括N型MOS管M1‑M7，M1为像素传输管，M2为FD节点的复位管，M6为源级跟随器，M7为像素选通管，M3‑M5为开关管,M1的源端接光电二极管，漏端接FD节点，M2的源端接FD节点，漏端接电源电压VDD，M3的源端接FD节点，漏端接M4的源端和M6的栅极，M6的漏端接电源VDD，源端接M7的漏端，M7的源端接节点B，M5的漏源端分别接节点A，节点B，M4的漏端接节点A。本发明可以实现像素SF复用，多级SF的列总线电路结构，可以分段驱动寄生电容，有效减小寄生效应的影响。

主权项

1.一种适用于大面阵CMOS图像传感器的驱动增强型像素结构，其特征在于，包括N型MOS管M1‑M7，MOS管M1为像素传输管，MOS管M2为FD节点的复位管，MOS管M6为源级跟随器，MOS管M7为像素选通管，MOS管M3‑M5为开关管，MOS管M1的源端接光电二极管，漏端接FD节点，MOS管M2的源端接FD节点，漏端接电源电压VDD，MOS管M3的源端接FD节点，漏端接MOS管M4的源端和MOS管M6的栅极，MOS管M4的漏端接入节点A，MOS管M6的漏端接电源VDD，源端接MOS管M7的漏端，MOS管M7的源端接节点B，MOS管M5的漏源端分别接入节点A，节点B。